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    西數將量產162層閃存:一塊晶圓容量100TB

    來源:和訊網 作者: 更新時間:2022/5/17 8:59:16

    摘要:西部數據宣布,與鎧俠聯合開發的BiCS NAND閃存將進入第六代,堆疊層數達到162層,今年即投入量產。

      西部數據宣布,與鎧俠聯合開發的BiCS NAND閃存將進入第六代,堆疊層數達到162層,今年即投入量產。

      目前的3D NAND閃存已經紛紛堆到176層,美光日前更是宣布全球首個達到232層。

      但是西數指出,自家的162層閃存單元尺寸更小,只有68平方毫米,小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存儲密度更高,可以提供和競品相同的單芯片容量。

      西數表示,BiCS6 162層堆疊下,一塊晶圓就可以做到100TB容量,而目前只有大約70TB。

      性能方面,西數宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元,性能可達60MB/s,比對手快了一半。

      西數還預告了下下一代BiCS+閃存,堆疊超過200層,預計可帶來60%的傳輸速度提升、15%的編程帶寬提升、55%的晶圓容量提升,然后繼續一路堆疊,2032年左右將超過500層!

      另外,西數在PPT上海列出了PLC閃存,但沒有任何細節消息。

      責任編輯:張華

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